鍍銀的簡介:
鍍銀最早始于1800年,第一個鍍銀的專利是1838年由英國伯明翰的Elkington兄弟提出的,所用的鍍液為堿性氰化物鍍液,與他們發(fā)明的堿性氰化物鍍黃金體系很類似。一個多世紀以來,鍍銀液的基本配方和當年的配方差別不大,僅僅是提高了銀配位離子濃度以達到快速鍍銀的目的而已。氰系鍍液過去的主要缺點是使用的電流密度小,現(xiàn)在這個問題也解決了,高效鍍銀使電流密度可高達10A/dm,光亮鍍銀可達1.5~3A/dm,其鍍面光滑而無需再打光,也可鍍厚。近年來快速發(fā)展起來的電子元器件的高速選擇性鍍銀,如引線框架的選擇性鍍銀,采用噴射鍍的方法。所用的電流密度高達300~3000A/dm,鍍液中氰化銀鉀[KAg(CN)2]的濃度 也高達40~75g/L,陽極采用白金或鍍鉑的鈦陽極,這樣在1s內(nèi)即可鍍上約4~5μm的銀層,它已能滿足硅芯片和銀焊墊之間用鋁線來鍵合(Bonding)。
用二硫化碳做光亮劑并不能得到全光亮的銀層,且加入鍍液后要等一段時間才會發(fā)生作用,估計真正的光亮劑是二硫化碳與鍍液中的CN一反應(yīng)生成的取代尿素、硫脲、胍、硫化物、氰胺化物(cyanamide)及其他種硫化物中的某些化合物。